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更新時間：2020-05-08
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ET200S 1 步進(jìn)模板輸出脈沖來控制步進(jìn)電機(jī) ，輸出脈沖的數(shù)量決定步進(jìn)電機(jī)的運(yùn)動距離，輸出脈沖的頻率決定步進(jìn)電機(jī)的速度。
模板訂貨號: 6ES7138-4DC00-0AB0
1.2 模板參數(shù)
圖. 1: 步進(jìn)電機(jī)模板
環(huán)境溫度超過0~50℃的范圍；
（2）相對濕度超過85%或者存在露水凝聚（由溫度突變或其他因素所引起的）；
（3）太陽光直接照射；
（4）有腐蝕和易燃的氣體，例如氯化氫、硫化氫等；
（5）有打量鐵屑及灰塵；
（6）頻繁或連續(xù)的振動，振動頻率為10~55Hz、幅度為0.5mm（峰-峰）；
（7）超過10g（重力加速度）的沖擊。
小型可編程控制器外殼的4個角上，均有安裝孔。有兩種安裝方法，一是用螺釘固定，不同的單元有不同的安裝尺寸；另一種是DIN（德國共和標(biāo)準(zhǔn)）軌道固定。DIN軌道配套使用的安裝夾板，左右各一對。在軌道上，先裝好左右夾板，裝上PLC，然后擰緊螺釘。為了使控制系統(tǒng)工作可*，通常把可編程控制器安裝在有保護(hù)外殼的控制柜中，以防止灰塵、油污、水濺。為了保證可編程控制器在工作狀態(tài)下其溫度保持在規(guī)定環(huán)境溫度范圍內(nèi)，安裝機(jī)器應(yīng)有足夠的通風(fēng)空間，基本單元和擴(kuò)展單元之間要有30mm以上間隔。如果周圍環(huán)境超過55C，要安裝電風(fēng)扇，強(qiáng)迫通風(fēng)。
為了避免其他外圍設(shè)備的電干擾，可編程控制器應(yīng)盡可能遠(yuǎn)離高壓電源線和高壓設(shè)備，可編程控制器與高壓設(shè)備和電源線之間應(yīng)留出至少200mm的距離。
當(dāng)可編程控制器垂直安裝時，要嚴(yán)防導(dǎo)線頭、鐵屑等從通風(fēng)窗掉入可編程控制器內(nèi)部，造成印刷電路板短路，使其不能正常工作甚至損壞。
2.電源接線PLC供電電源為50Hz、220V±10%的交流電。FX系列可編程控制器有直流24V輸出接線端。該接線端可為輸入傳感（如光電開關(guān)或接近開關(guān)）提供直流24V電源。如果電源發(fā)生故障，中斷時間少于10ms，PLC工作不受影響。若電源中斷超過10ms或電源下降超過允許值，則PLC停止工作，所有的輸出點(diǎn)均同時斷開。當(dāng)電源恢復(fù)時，若RUN輸入接通，則操作自動進(jìn)行。對于電源線來的干擾，PLC本身具有足夠的抵制能力。如果電源干擾特別嚴(yán)重，可以安裝一個變比為1:1的隔離變壓器，以減少設(shè)備與地之間的干擾。
3.接地良好的接地是保證PLC可*工作的重要條件，可以避免偶然發(fā)生的電壓沖擊危害。接地線與機(jī)器的接地端相接，基本單元接地。如果要用擴(kuò)展單元，其接地點(diǎn)應(yīng)與基本單元的接地點(diǎn)接在一起。為了抑制加在電源及輸入端、輸出端的干擾，應(yīng)給可編程控制器接上地線，接地點(diǎn)應(yīng)與動力設(shè)備（如電機(jī)）的接地點(diǎn)分開。若達(dá)不到這種要求，也必須做到與其他設(shè)備公共接地，禁止與其他設(shè)備串聯(lián)接地。接地點(diǎn)應(yīng)盡可能*近PLC。
4.直流24V接線端使用無源觸點(diǎn)的輸入器件時，PLC內(nèi)部24V電源通過輸入器件向輸入端提供每點(diǎn)7mA的電流。PLC上的24V接線端子，還可以向外部傳感器（如接近開關(guān)或光電開關(guān)）提供電流。24V端子作傳感器電源時，COM端子是直流24V地端。如果采用擴(kuò)展船員，則應(yīng)將基本單元和擴(kuò)展單元的24V端連接起來。另外，任何外部電源不能接到這個端子。如果發(fā)生過載現(xiàn)象，電壓將自動跌落，該點(diǎn)輸入對可編程控制器不起作用。
每種型號的PLC的輸入點(diǎn)數(shù)量是有規(guī)定的。對每一個尚未使用的輸入點(diǎn)，它不耗電，因此在這種情況下，24V電源端子向外供電流的能力可以增加。FX系列PLC的空位端子，在任何情況下都不能使用。
5.輸入接線PLC一般接受行程開關(guān)、限位開關(guān)等輸入的開關(guān)量信號。輸入接線端子是PLC與外部傳感器負(fù)載
2. 模板接線
圖. 2: 步進(jìn)模板接線圖
3. 硬件配置
步進(jìn)模板可以安裝在ET 200S接口模板或者 ET200S CPU后面。
本文使用 IM151-7 CPU 為例。
表 1: 軟件和硬件配置
圖. 3: ET200S 站的配置圖
4. 硬件和參數(shù)設(shè)置
4.1 硬件配置
1) 根據(jù)圖. 2 和圖. 3完成ET200S的接線
2) 打開STEP7，創(chuàng)建一個新項(xiàng)目，并插入一個S7-300站
3) 從硬件目錄中選擇IM151-7 CPU直接拖拽到站配置窗口
圖. 4: 插入IM151-7 CPU
4) 依次在4槽和5槽插入電源模板 PM-E DC24 和步進(jìn)模塊
圖. 5: 硬件配置
4.2 模板參數(shù)配置
圖. 6: 步進(jìn)模塊參數(shù)接口
4.2.1 模板參數(shù)說明
1) 組診斷：組診斷
2) 基準(zhǔn)頻率：基準(zhǔn)頻率，以Hz為單位，標(biāo)識Fb
3) 增益 n: 增益系數(shù) n，值范圍 1-255. 此增益系數(shù)決定啟動/停止頻率 Fss，并且計(jì)算公式為： Fss=Fb×n
4) 時間 i: 時間系數(shù) i, 值范圍 1-255. 該時間系數(shù)以Hz/ms決定加速和減速，計(jì)算公式為: a = Fb ×R / (i×0.128 ms)
5)功能 DI: 數(shù)字量輸入DI 功能可選，可以被組態(tài)為外部脈沖輸入或者外部停止信號，缺省是外部脈沖且已使能。
6) 外部 Stop, 限位 Stop: 外部 stop, 信號類型停止開關(guān). 接觸器觸點(diǎn)是常閉信號，以確保該接觸器信號，缺省是讀取常閉信號。
4.2.2 本文所例參數(shù)設(shè)置如下
本例參數(shù)配置見圖. 6.
1) 沒有激活組診斷
2) 基準(zhǔn)頻率 4Hz
3) 乘法系數(shù) 1, 啟動/停止頻率 4Hz
4) 時間系數(shù) 1, 加速/ 減速 31.25 Hz/ms
5) 使能外部輸入脈沖
6) 外部輸入停止和限位信號為常閉類型
5. 編程
5.1 模板輸入/輸出地址分配
與其它ET200S功能塊類似，1STEP步進(jìn)模板也通過直接讀寫I/O地址來對模板進(jìn)行控制和訪問的。
反饋信號 (輸入), 占用 8 字節(jié). 如表 2 輸入地址分配所示。
控制信號 (輸出), 占用 8 字節(jié). 如表 3 輸出地址分配所示。
問題1：S7-200 CPU內(nèi)部存儲區(qū)類型？西門子（中國）總代理
回答：S7-200 CPU內(nèi)部存儲區(qū)分為易失性的RAM存儲區(qū)和保持的EEPROM兩種，其中RAM包含CPU工作存儲區(qū)和數(shù)據(jù)區(qū)域中的V數(shù)據(jù)存儲區(qū)、M數(shù)據(jù)存儲區(qū)、T(定時器)區(qū)和C(計(jì)數(shù)器)區(qū)，EEPROM包含程序存儲區(qū)、V數(shù)據(jù)存儲區(qū)的全部和M數(shù)據(jù)存儲區(qū)的前14個字節(jié)。
也就是說V區(qū)和MB0-MB13這些區(qū)域都有對應(yīng)的EEPROM保持區(qū)域。
EEPROM的寫操作次數(shù)是有限制的(少10萬次，典型值為100萬次)，所以請注意只在必要時才進(jìn)行保存操作。否則，EEPROM可能會失效，從而引起CPU故障。
EEPROM的寫入次數(shù)如果超過限制之后，該CPU即不能使用了，需要整體更換CPU，不能夠只更換CPU內(nèi)EEPROM，西門子不提供這項(xiàng)服務(wù)。
問題2：S7-200 CPU的存儲卡的作用？
回答：S7-200還提供三種類型的存儲卡用于存儲程序，數(shù)據(jù)塊，系統(tǒng)塊，數(shù)據(jù)記錄（歸檔）、配方數(shù)據(jù)，以及一些其他文件等，這些存儲卡不能用于實(shí)時存儲數(shù)據(jù)，只能通過PLC—存儲卡編程的方法將程序塊/數(shù)據(jù)塊/系統(tǒng)塊的初始設(shè)置存于存儲卡內(nèi)。
存儲卡分為兩種，根據(jù)大小共有三個型號。
32K存儲卡：僅用于儲存和傳遞程序、數(shù)據(jù)塊和強(qiáng)制值。32K存儲卡只可以用于向新版（23版）CPU傳遞程序，新版CPU不能向32K存儲卡中寫入任何數(shù)據(jù)。而且32K存儲卡不支持存儲程序以外的其他功能。訂貨號：6ES7 291-8GE20-0XA0。
64K/256K存儲卡：可用于新版CPU（23版）保存程序、數(shù)據(jù)塊和強(qiáng)制值、配方、數(shù)據(jù)記錄和其他文件（如項(xiàng)目文件、圖片等）。64K/256K新存儲卡只能用于新版CPU（23版）。64K存儲卡訂貨號： 6ES7 291-8GF23-0XA0；256K存儲卡訂貨號：6ES7 291-8GH23-0XA0。
為了把存儲卡中的程序送到CPU中，必須先插入存儲卡，然后給CPU上電，程序和數(shù)據(jù)將自動復(fù)制到RAM及EEPROM中。
存儲卡的使用完整限制條件，請參考《S7-200系統(tǒng)手冊》附錄A 技術(shù)規(guī)范—可選卡件一節(jié)。
S7-200的外部存儲卡有哪些功能？
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問題3：S7-200 CPU內(nèi)的程序是否具有掉電保持特性？
回答：S7-200 CPU內(nèi)的程序塊下載時，會同時下載到EEPROM中，也就是說程序下載后，將保持。同樣，系統(tǒng)塊和數(shù)據(jù)塊下載時，也會同時下載到EEPROM中。
問題4：S7-200 CPU內(nèi)部的數(shù)據(jù)的掉電保持特性？
回答：S7-200系統(tǒng)手冊第四章——“PLC基本概念”一章中“理解S7--200如何保存和存儲數(shù)據(jù)”一節(jié)詳細(xì)介紹了S7-200 CPU內(nèi)數(shù)據(jù)的掉電保持特性，建議用戶仔細(xì)閱讀。
S7-200 CPU內(nèi)的數(shù)據(jù)分為RAM區(qū)和EEPROM區(qū)。
其中，RAM區(qū)數(shù)據(jù)需要CPU內(nèi)置的超級電容或者外插電池卡才能實(shí)現(xiàn)掉電保持特性。
對于CPU221和CPU222的內(nèi)置超級電容，能提供典型值約50小時的數(shù)據(jù)保持。
對于CPU224，CPU224XP，CPU224XPsi和CPU226的內(nèi)置超級電容，能提供典型值約100小時的數(shù)據(jù)保持。
超級電容需要在CPU上電時充電。為達(dá)到上述指標(biāo)的數(shù)據(jù)保持時間，需要連續(xù)充電至少24小時。
當(dāng)該時間不夠時，可以購買電池卡，以獲得更長時間的數(shù)據(jù)保持時間。
EEPROM區(qū)能實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)保持，不依靠超級電容或者電池就可以保持?jǐn)?shù)據(jù)。
問題5：S7-200 CPU內(nèi)部數(shù)據(jù)的工作順序？
回答：S7-200 CPU一上電后，CPU先去檢查RAM區(qū)域中的數(shù)據(jù)，如果在超級電容或者電池有電的情況下，數(shù)據(jù)并未丟失，則使用該RAM區(qū)的數(shù)據(jù)；如果超級電容或者電池沒電了，導(dǎo)致數(shù)據(jù)丟失，則CPU去讀EEPROM中相應(yīng)的區(qū)域(包含數(shù)據(jù)塊中的數(shù)據(jù)定義內(nèi)容)，如果在EEPROM中存有保持的數(shù)據(jù)，則CPU將EEPROM中的數(shù)據(jù)寫回到RAM區(qū)中，再進(jìn)行下面的工作。
如果EEPROM中也沒有對應(yīng)存儲區(qū)的數(shù)據(jù)了，則該存儲區(qū)的數(shù)據(jù)將變成0。
問題6：S7-200 CPU電池卡的使用注意事項(xiàng)？
回答：新版S7-200 CPU電池卡有兩種型號。
對于CPU221和CPU222，由于其中沒有實(shí)時時鐘，則對應(yīng)的為時鐘電池卡，訂貨號為：6ES7297--1AA23--0XA0。
對于CPU224，CPU224XP，CPU224XPsi和CPU226，電池卡僅提供電池功能，訂貨號為：6ES7 291--8BA20--0XA0，該款電池卡型號又叫做BC293。
電池卡的壽命典型值約為200天，當(dāng)插上電池卡后，如果CPU處于工作狀態(tài)或者超級電容有電的情況下，并不消耗電池卡的電量。當(dāng)電池卡的電量消耗完畢之后，該電池卡就報(bào)廢了。
S7-200電池卡不能充電，使用完畢就不能再用了，只能購買新的電池卡了。
S7-200沒有檢測電池卡內(nèi)剩余電量的狀態(tài)位和這種功能。
新版S7-200 CPU電池卡不能用于老CPU，即訂貨號為6ES7xxx-xxx21-0XB0和6ES7xxx-xxx22-0XB0以及更老版本的CPU。
圖1
以上為兩種電池卡以及所在插槽位置。
電池卡的使用完整限制條件，請參考《S7-200系統(tǒng)手冊》附錄A 技術(shù)規(guī)范—可選卡件一節(jié)。
問題7：S7-200 CPU內(nèi)EEPROM的使用方法？
回答：EEPROM的寫入分為如下幾種情況：
1、MB0—MB13的設(shè)置，只需要在系統(tǒng)塊—斷電數(shù)據(jù)保持中設(shè)置即可。
默認(rèn)情況下，系統(tǒng)塊設(shè)置如下圖藍(lán)框中所示，即MB14—MB31，這些區(qū)域沒有對應(yīng)的EEPROM區(qū)域，無須考慮EEPROM寫入次數(shù)限制。
圖2
MB0—MB13如果在系統(tǒng)塊中設(shè)置成掉電保持區(qū)域，如圖2紅框中所示，并將系統(tǒng)塊下載到CPU之后，則這14個字節(jié)的數(shù)據(jù)在掉電的瞬間會將數(shù)值寫入EEPROM中，如果掉電時間超過超級電容和電池的保持時間之后，再上電時，CPU會將EEPROM中存儲的數(shù)據(jù)數(shù)值寫回到RAM中對應(yīng)的存儲區(qū)，實(shí)現(xiàn)保持?jǐn)?shù)據(jù)的目的。
注意：實(shí)現(xiàn)該功能一定要將修改過的系統(tǒng)塊下載到CPU中。
這些軟起動器的旁通觸點(diǎn)在工作時由一個集成固態(tài)滅弧系統(tǒng)保護(hù)。 從而在故障時可防止對旁通觸點(diǎn)的破壞，如線圈操作機(jī)構(gòu)或主操作彈簧的短暫的控制電壓故障、機(jī)械震動或與壽命相關(guān)的部件缺陷。
特別強(qiáng)大的操作機(jī)構(gòu)的起動電流會在本地供電系統(tǒng)上施加一個不可控制的負(fù)荷。軟起動器通過其電壓軟起動降低了該起動電流。通過可調(diào)電流限值功能，SIRIUS 3RW40 軟起動器為供電系統(tǒng)緩解了不少壓力。 一達(dá)到選擇的電流限值，剩下的只需設(shè)置軟起動期間的起動起點(diǎn)（軟起動升降率由起動電壓和軟起動時間決定）。從此刻開始，可通過控制軟起動器電壓以使電機(jī)電流保持為常數(shù)。可通過電機(jī)軟起動完成、本征設(shè)備保護(hù)脫扣或電機(jī)過載保護(hù)脫扣來結(jié)束該過程。該功能的結(jié)果就是電機(jī)的實(shí)際軟起動時間要比軟起動器上選擇的軟起動時間長。
由于集成有 電機(jī)過載保護(hù)功能 ，并符合標(biāo)準(zhǔn) IEC 60947-4-2，全新軟起動器無需附加過載繼電器?？珊唵?、快速地調(diào)整電機(jī)額定電流、過載脫扣時間（操作次數(shù)）設(shè)置和電機(jī)過載保護(hù)功能復(fù)位。使用 4 檔旋轉(zhuǎn)電位器，可在軟起動器上設(shè)置不同的過載脫扣時間。 除了 10、15 和 20 級，若一個不同的電機(jī)管理控制設(shè)備用于該功能（如連接到 PROFIBUS），還可切斷電機(jī)過載保護(hù)。
另外，還提供有帶 晶閘管電機(jī)保護(hù)分析 功能的設(shè)備型號，額定功率 55 kW（ 400 V 時）。 A 型 PTC 或 Thermoclick 測量探頭都可直接連接。電機(jī)熱過載以及傳感器回路中的開路和短路都會造成直接斷開軟起動器。若軟起動器曾經(jīng)脫扣，與本征設(shè)備保護(hù)和電機(jī)負(fù)載保護(hù)一樣，還提供有各種復(fù)位選件。通過復(fù)位按鈕的手動復(fù)位，通過控制電壓的短暫斷開的自動或遠(yuǎn)程復(fù)位。
新設(shè)備系列采用“極性平衡"控制方法，用于保護(hù)兩相控制的軟起動器中的直流部件。對于兩相控制軟起動器，來自兩個控制相位重疊的電流會流經(jīng)未受控制的相位。這也是導(dǎo)致電機(jī)軟起動中三相電流非對稱分布的物理原因。這雖然不受影響，但在大多數(shù)應(yīng)用中仍不可忽視。
控制功率半導(dǎo)體不僅導(dǎo)致不對稱，在起動電壓低于電機(jī)起動電壓值的 50 % 時，還導(dǎo)致之前提到的直流部件產(chǎn)生嚴(yán)重的噪音。
用于這些軟起動器的控制方法省去了軟起動相位的直流部件，并防止了可能產(chǎn)生的制動扭矩。該方法創(chuàng)建了在速度、扭矩和電流上升上*的電機(jī)軟起動，從而可實(shí)現(xiàn)電機(jī)的緩和兩相起動。同時，起動操作的聲音質(zhì)量與
相關(guān)產(chǎn)品
